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失效分析

失效分析

  • 分类:解决方案
  • 发布时间:2022-05-18 17:18:21
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概要:
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  失效分析(Failure Analysis,FA)主要指通过实验分析手段确定元器件既有的失效现象的原因及失效机理,或判断可能存在的失效情况。广义的失效分析包括为探失效原因的检测分析,以及检查是否存在潜在失效问题、确保工艺稳定而实施的破坏性物理分析(Destructive Physical Analysis,DPA)究样品。

FA分析(Failure Analysis)的目的是通过一连串之分析手段,诊断失效原因,确认失效机理,从而由改善制程避免相同问题再次发生,以满足高质量要求。可以说FA分析是质量工程最重要的一步,没有FA分析结果,就不知道制程从何处改善。

FA分析流程:可以分成三个步骤,分别是失效复现,缺陷定位,物性分析;这三个步骤 缺一不可,并且每个步骤环环相扣,任何一个步骤出错,都将导致分析无功而返,不可不慎。

FA分析效益:FA是全流程的质量工程,从确认产品研发成果,明确可靠度问题,改进产品设计工艺, 提供进料质量保证,制程管控依据,客诉返回分析,消除早起危害,提高最终产品可靠 性都需要FA分析,确认改善方向。

 

FA失效模式

芯片的失效模式:金属层残留、金属层空洞、污染物颗粒、金属层跨桥、金属形变、通孔残留、通孔缺失、钝化层缺失、离子注入偏失、氧化层穿孔、硅应力、晶格位错

PCB失效模式:虚焊、污染、机械损伤、潮湿应力、裂纹、爆板、介质腐蚀、分层、空洞、疲劳损伤、CAF或离子迁移、应力过载

 

FA失效分析主要设备

•光学显微镜OpticalMicroscope • 开封De-cap • 切片Crosssection • HDPdryetcher • Ionmilling • 电性测试LCR • X光检查X-rayInspection

• 超声波检查C—SAM • 阻抗TDR • 增强型热点分析Thermalhotspot • 微光分析EMMI • OBIRCH • 原子力显微镜C-AFM • 扫描电镜能谱SEM/EDX

• 双聚焦离子束显微镜dualbeamFIB • 穿透式电镜TEM • 电子色散能谱EDS • 电子能量散失能谱EELS • 俄歇电子能谱Auger • X-ray光电子能谱XPS

• 二次离子质谱SIMS • 电子背散射衍射EBSD

 

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